[11a-PB2-1~10] 13.3 絶縁膜技術

[11a-PB2-4] NH₃ガスを用いた酸化Si膜残留OH成分除去量の低温アニール条件依存性

〇堀田 將¹ (1.北陸先端大)

キーワード：酸化Si膜、低温、OH 除去

堆積酸化Si膜はより低温での形成が望まれているが、膜中には多くのOH成分が残留するため、絶縁性が著しく悪くなる。これに対して我々は、アニールガスとしてNH₃を用いれば、175℃でも高効率でOHが除去できること以前見出した。今回は、その効果の温度依存性について検討したところ、5分間、100℃程度でのアニールでも、N₂ガスに比べて2倍以上の効率で60％近いOH量が除去されていることが分かった。