[11a-PB3-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[11a-PB3-2] 急峻なSSを持つ“PN-Body-Tied SOI-FET”のTCADを用いた過渡解析

〇森 貴之¹、井田 次郎¹、遠藤 大貴¹ (1.金沢工大)

キーワード：フローティングボディ効果、SOI MOSFET、steep subthreshold slope