[11a-PB4-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11a-PB4-1] AlN構造体を形成した基板へのGaN結晶成長

〇中村 昌幸¹、小林 貴之¹、幸 康一郎²、井本 良²、岡田 成仁²、立田 利明¹、只友 一行²、本山 愼一¹ (1.サムコ株式会社、2.山口大学)

キーワード：GaN、原子層堆積法、MOVPE

高性能GaNパワーデバイスには低欠陥GaN層が必要不可欠であるが、基板との格子不整合や熱膨張率の違いによる応力の低減が重要である。今回、ALDで基板上へ作製したAlNの中空構造上にGaNを成長させることで格子不整合や応力の緩和を試みた。成長したGaN層のXRD測定において、GaN 0002の半値全幅が255.1 arcsec、GaN 10-12の半値全幅が235.0 arcsecであった。GaN 10-12の半値全幅が小さく、中空構造によって格子不整合や応力が緩和され、結晶性が向上したことが示唆される。