9:30 AM - 11:30 AM
[11a-PB4-15] First-principles calculations of surface electronic states and field effects in GaN
Keywords:semiconductor, first-principles calculation
GaNにおいては,長らくの間,自発分極の存在が示唆されてきた。実験による直接観察は,前大会において初めて報告されたばかりである。今回我々は,それを受けて理論的な検討を行った。具体的には,第一原理計算ソフトウェアOpenMXを用いてGaNのバルクおよび表面の部分状態密度、エネルギーバンドを計算し、実験との比較検討を行った。当日は、計算の結果と、計算方法の詳細やGaNの発光現象に対する自発分極の寄与などについて議論する。