The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[11a-PB4-1~18] 15.4 III-V-group nitride crystals

Mon. Mar 11, 2019 9:30 AM - 11:30 AM PB4 (PB)

9:30 AM - 11:30 AM

[11a-PB4-15] First-principles calculations of surface electronic states and field effects in GaN

〇(B)Masaki Saito1, Takuya Sekikawa2, Susumu Sasaki3,4, Yoshiaki Ono1 (1.Faculty of Science, Niigata Univ., 2.Graduate School of Science and Technology, Niigata Univ., 3.Faculty of Engineering, Niigata Univ., 4.AMED SENTAN)

Keywords:semiconductor, first-principles calculation

GaNにおいては,長らくの間,自発分極の存在が示唆されてきた。実験による直接観察は,前大会において初めて報告されたばかりである。今回我々は,それを受けて理論的な検討を行った。具体的には,第一原理計算ソフトウェアOpenMXを用いてGaNのバルクおよび表面の部分状態密度、エネルギーバンドを計算し、実験との比較検討を行った。当日は、計算の結果と、計算方法の詳細やGaNの発光現象に対する自発分極の寄与などについて議論する。