9:30 AM - 11:30 AM
[11a-PB4-17] First-principles calculations of spontaneous polarization in GaN
Keywords:semiconductor, first-principles calculation
GaN/AlGaN界面を用いるHEMTは,ドーパントを用いずに2次元電子ガスが形成されること等から,GaNでは自発分極が生じていることが示唆されてきた。しかし、我々の知る限り,自発分極についての理論的な報告はなされていないので第一原理計算ソフトウェアOpenMX及びWIEN2kに基づいた電荷解析や電場勾配の解析計算結果を議論する。