[11a-PB4-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11a-PB4-18] NiO/InGaN/n-GaN光陽極を用いた光水分解の検討

〇熊倉 一英¹、渦巻 裕也²、小野 陽子²、小松 武志² (1.NTT物性研、2.NTT先デ研)

キーワード：InGaN、水分解、光電気化学

窒化物半導体は、混晶組成により赤外から紫外域の光を吸収でき、太陽光を利用した光水分解用陽極の光吸収層として有望な材料である。これまで我々は、AlGaN系光陽極を用いた光水分解を通した水素発生の高効率・長寿命化の検討を行ってきた。今回、AlGaN系よりバンドギャップが狭く、より長波長の光を吸収できるInGaNを光吸収層として用い、そのIn組成を変えた光陽極における光水分解特性について評価・検討した。