[11a-PB4-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11a-PB4-2] グラファイト基板上に作製した単純P-N接合GaNのI-V特性

〇井上 崇¹、桟敷 剛²、細川 敏弘¹、武田 章義¹、岡野 寛² (1.東洋炭素（株）、2.香川高専)

キーワード：窒化ガリウム、黒鉛、P-N接合

我々は、グラファイトベースのフレキシブル発光デバイスをはじめとする応用を目指して、等方性黒鉛およびグラファイトシートPERMA-FOIL^®上へのGaN結晶成長の取り組みを報告してきた。今回、上記のグラファイト基板上に作製したシンプルな構造のP-N接合デバイスのI-V特性を測定した結果、サファイア基板上のGaNデバイスには及ばないものの、ダイオードとしての特性が得られた。