[11a-PB4-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11a-PB4-4] RFマグネトロンスパッタ法を用いたGaN薄膜の作製と評価に関する研究

〇仲嶋 徹¹、齋藤 佑樹¹、宮本 卓哉¹、黒田 寛¹、佐藤 祐喜¹、大鉢 忠¹、吉門 進三¹、竹本 菊郎²、宇野 裕行²、木村 直人²、高崎 正規² (1.同志社大院理工、2.山中ヒューテック株)

キーワード：窒化ガリウム、RFマグネトロンスパッタリング