[11a-PB4-1~18] 15.4 III-V-group nitride crystals

[11a-PB4-7] Growth temperature dependence of high In composition GaInN grown by RF-MBE

〇Ryosuke Yoshida¹, Yusuke Nakajima¹, Hiroki Hirukawa¹, Tomohiro Yamaguchi¹, Takeyoshi Onuma¹, Toru Honda¹ (1.Kogakuin Univ.)

Keywords:GaInN

GaInNはIn組成を制御することによって0.7eVから3.4eVまでをカバーすることができる直接遷移半導体であり，可視光領域全てをカバーすることができる非常に魅力的な材料である．しかし，GaInNは長波長(黄~赤色)になるほど効率の良い発光を示さなくなる．この問題の要因はGaInN中の結晶欠陥である．結晶欠陥が起きる原因としてGaNとInNとの大きな格子不整合(~11%)による問題，およびそれに付随する格子緩和の影響がある．そのため現在は，GaN上にGaInN成長した青・緑LEDが実用化されているが，赤色LEDにはAlGaInP/GaAsが主に用いられている．そこで，低転位GaInN下地層を提案する．GaInN下地層は成長温度が重要なパラメータである