[11a-S011-1~9] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[11a-S011-9] 【注目講演】水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法による(010)面 b-Ga₂O₃の高アスペクト異方性エッチング

〇大江 優輝¹、生江 祐介¹、松岡 明裕¹、川崎 祐生¹、伊藤 大智¹、森谷 祐太¹、富樫 理恵¹、菊池 昭彦^1,2 (1.上智大・理工、2.上智大ナノテクセンター)

キーワード：酸化ガリウム、ナノ加工

酸化ガリウム（Ga₂O₃）は、4.5eVの大きなバンドギャップと良好な電気特性を有し、パワーデバイスを中心としたさまざまな応用が期待されている。^[1]半導体デバイスのプロセスにおいて、低損傷で高アスペクト構造を形成できるエッチング技術は、デバイス応用の多様性と性能向上をもたらすキーテクノロジーである。参加我々は、これまでに減圧水素雰囲気中でのGaNの熱分解反応を利用した水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法を提案し、GaNナノ構造の形成やInGaN/GaNナノLEDの作製について報告してきた。本稿では、HEATE法をb-Ga₂O₃に適用し、そのエッチング特性について初期的な評価を行ったので報告する。