[11a-S224-1~6] CS.6 6.5 表面物理・真空、7.6 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェアセッション

[11a-S224-1] スピン偏極イオン散乱分光法によるGe/Fe(100)界面の解析

〇鈴木 拓¹ (1.物材機構)

キーワード：ゲルマニウム、スピン偏極、表面

Fe(100)基板上のGeの成長初期段階における原子配列とスピン分極を、スピン偏極イオン散乱分光法を主たる手段として解析した。基板温度が室温ではGe/Fe界面では反応が観測されなかったが、一方で633Kでは界面反応によりGeはFe基板内部に取り込まれることが分かった。そしてこの界面反応では、一部のGeは最表面に残り超構造を形成した。この超構造により、表面スピンの脱分極が起きることが明らかとなった。