[11a-S421-1~12] 3.9 テラヘルツ全般

[11a-S421-8] 二次元ナノアンテナ導入による格子ゲート構造
プラズモニックTHzディテクタの偏光特性制御

〇齋藤 琢¹、鈴木 雅也¹、細谷 友崇¹、末光 哲也²、瀧田 佑馬³、伊藤 弘昌³、南出 泰亜³、尾辻 泰一¹、佐藤 昭¹ (1.東北大通研、2.東北大CIES、3.理研光量子)

キーワード：プラズモン、HEMT

我々は，非対称二重格子ゲートを有するInP系高電子移動度トランジスタ（Asymmetric Dual-Grating-Gate High-Electron-Mobility Transistor; A-DGG HEMT）の開発を行い，その高い検出感度を実証してきた．A-DGG HEMTはチャネル長方向（ソース・ドレイン方向）に周期性を持つ一次元金属格子ゲートを有しており，入射THz波と二次元プラズモンを高効率に結合させる．しかしながら一次元格子ゲート構造では，入射THz波偏光のうちチャネル長方向成分のみが二次元プラズモンと広帯域に結合可能である．そこで本稿では，二重格子ゲート構造の一つのゲートを二次元ナノアンテナ構造に置き換えた新規ディテクタの試作・評価を行い，ナノアンテナ導入によってチャネル幅方向の偏光に対しても広帯域な検出が可能になることを確認した．