[11a-S422-1~10] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[11a-S422-10] Comparison of thickness-dependence of structural degradation in tensile-strained GaAsSb and InGaAs layers grown on InP substrates

〇Manabu Mitsuhara¹, Takuya Hoshi¹, Hiroki Sugiyama¹, Takahiro Gotow², Mitsuru Takenaka², Shinichi Takagi² (1.NTT Device Technology Labs, 2.The Univ. of Tokyo)

Keywords:semiconductor, GaAsSb, InGaAs

InGaAs/GaAsSbトンネルFETにおいて、オフ電流の低減するにはバンドギャップの大きな材料を用いることが有効である。GaAsSbとInGaAsは、引張歪を加えることでバンドギャップを増加させることが可能である。今回、引張歪GaAsSbとInGaAsの膜厚増加に伴う結晶性の変化を調べた。その結果、InGaAsでは成長表面の平坦性が著しく悪化するのに対して、GaAsSbでは平坦な表面を維持した状態での成長が可能なことを明らかにした。