[11a-S422-1~10] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

△ [11a-S422-4] Investigation on Annhilation of Point Defects in III-V-N Alloys by Proton Irradiation

〇Shigeto Genjo¹, Keisuke Yamane¹, Ryo Futamura¹, Mitsuru Imaizumi², Akihiro Wakahara¹ (1.Toyohashi Univ. Tech., 2.JAXA)

Keywords:GaPN, point defects, proton irradiation

III-V-N混晶では、一般的にN組成の増加に伴い、NクラスタやN-N対等のN起因の点欠陥が増加する。これらの解決策としてこれまで熱処理による結晶性の回復が広く行われてきたが、結晶性を完全に回復させるには至っていない。そこで本研究では新たな試みとしてIII-V-N混晶に陽子線を照射することでN-N対等の欠陥の状態を変え、その後熱処理を行うことにより点欠陥のさらなる低減の可能性を探った。