[11a-S422-1~10] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[11a-S422-3] Electron activation energy in Si doped GaAsN as a function of Si impurity concentration

〇Takashi Tsukasaki¹, Ren Hiyoshi¹, Miki Fujita², Toshiki Makimoto¹ (1.Waseda Univ., 2.NIT, Ichinoseki College)

Keywords:GaAsN, electron activation energy, localized level

GaAsNは窒素組成([N])の増加にともなってバンドギャップエネルギーが大きく減少する特性をもち，GaAs基板上での多接合型太陽電池の1.0 eV帯材料への応用が期待されている。このようなデバイスの実現に向けては，pn接合を構成するSiドープGaAsNのSiドーピング機構の解明は不可欠である。我々は現在までに，SiドープGaAsNにおける室温でのSi原子の活性化率が[N]の増大にともなって大きく減少することを確認した。さらに，低いSi不純物濃度において電子の活性化エネルギーが71 meVとなることを明らかにし，伝導電子が伝導帯の下端付近に存在する局在準位に落ち込むことによるものと解釈した。今回は，より大きい[Si]における電子濃度の温度特性から，SiドープGaAsNの電子活性化エネルギーや伝導帯下端付近の局在準位について詳細な検討を行ったので報告を行う。