[11a-S422-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

△ [11a-S422-4] 陽子線照射によるIII-V-N混晶中の点欠陥低減効果の検証

〇源常 栄人¹、山根 啓輔¹、二村 綾¹、今泉 充²、若原 昭浩¹ (1.豊橋技科大、2.宇宙機構)

キーワード：GaPN、点欠陥、陽子線

III-V-N混晶では、一般的にN組成の増加に伴い、NクラスタやN-N対等のN起因の点欠陥が増加する。これらの解決策としてこれまで熱処理による結晶性の回復が広く行われてきたが、結晶性を完全に回復させるには至っていない。そこで本研究では新たな試みとしてIII-V-N混晶に陽子線を照射することでN-N対等の欠陥の状態を変え、その後熱処理を行うことにより点欠陥のさらなる低減の可能性を探った。