[11a-S422-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[11a-S422-9] MOVPE法によるInAs/GaSb超格子成長時の異種V族混入量の推定

〇今村 優希¹、山形 勇也¹、中山 優希¹、若城 玲亮¹、前田 幸治¹、荒井 昌和¹ (1.宮崎大工)

キーワード：有機金属気相成長、超格子

赤外波長帯には可燃性ガスや一酸化炭素、二酸化炭素などの光吸収線があり、ガスセンシング用にレーザや受光素子のニーズが高い。本研究ではType-II型のヘテロ構造となるInAs/GaSb超格子の有機金属気相成長法（MOVPE）による光デバイス実現を目指している。InAsとGaSbのガス切り替え時のV族ガス残留により3元混晶化することを想定し、エクスポネンシャル関数でXRDの0次ピークとフィッティングすることで高い相関を確認した。今後はより急峻な界面を実現できるガス切り替えの検討を行う。