[11a-W351-1~11] 6.1 強誘電体薄膜

[11a-W351-1] スパッタリング法により配向制御したHfO₂基強誘電体厚膜の作製およびその電気特性評価

〇(P)志村 礼司郎¹、三村 和仙¹、清水 荘雄¹、舟窪 浩¹ (1.東工大物院)

キーワード：強誘電体、酸化ハフニウム