[11a-W351-1~11] 6.1 強誘電体薄膜

[11a-W351-2] ミストCVD法によるn⁺-Si(100)基板上への強誘電体HfO₂薄膜の作製とその電気特性評価

〇(D)田原 大祐¹、西中 浩之¹、野田 実¹、佐藤 翔太²、川原村 敏幸²、吉本 昌広¹ (1.京工繊大、2.高知工科大)

キーワード：酸化ハフニウム、ミストCVD、強誘電体

近年、強誘電性を発現する準安定相二酸化ハフニウム(HfO₂) 薄膜材料が注目され、強誘電体キャパシタ／同ゲートトランジスタなどへの応用が精力的に研究されている。本研究では、三次元立体微細構造の被覆性に優れる気相成長技術の一種であるミストCVD法を用いてこの強誘電体HfO₂薄膜の成長を試みた。