[11a-W521-5~10] 17.3 層状物質

△ [11a-W521-8] DCバイアス印加した共スパッタ法によるMo_1-xW_xS₂のコンビナトリアル成膜

〇(B)橋本 侑祐¹、石原 聖也^1,3、日比野 祐介^1,3、小柳 有矢¹、山﨑 浩多¹、小椋 厚志¹、若林 整² (1.明治大学、2.東京工業大学、3.学振特別研究員)

キーワード：Mo1-xWxS2、スパッタ法、分光エリプソメトリー

我々は共スパッタ法を用いてMo_1-xW_xS₂の作製を試みた。共スパッタ法はRFパワーの調整で容易に原料供給量を制御することが可能である。また、基板ターゲット間距離の調整によってもW濃度を制御可能であり、多条件Mo_1-xW_xS₂同時成膜の達成が期待される。本研究では、DCバイアス印加した共スパッタ法を用いてMo_1-xW_xS₂を作製し、結晶性及びEgを評価した。