[11a-W541-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11a-W541-10] GaNの深い準位の直接光励起による発光特性の考察

〇(B)菊地 萌¹、上原 大輔¹、馬 ベイ¹、森田 健¹、三宅 秀人²、石谷 善博¹ (1.千葉大工、2.三重大院地域イノベ)

キーワード：GaN、深い準位、フォトルミネッセンス