[11a-W541-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

[11a-W541-12] Raman Scattering Investigation of Strain Evolution during Surface-Activated Bonding of GaN

〇(B)Ryo Tanabe¹, Takuya Onodera¹, Masahiro Uemukai¹, Toshiki Hikosaka², Shinya Nunoue², Kanako Shojiki³, Hideto Miyake^3,4, Maki Kushimoto⁵, Heajeong Cheong⁶, Yoshio Honda⁶, Hiroshi Amano⁶, Ryuji Katayama¹ (1.Grad.school of Eng., Osaka Univ., 2.Toshiba Corporation, 3.Grad.school of Eng., Mie Univ., 4.Grad.school of RIS,Mie Univ., 5.Grad.school of Eng., Nagoya Univ., 6.Nagoya Univ. IMaSS)

Keywords:Surface Activated Bonding, GaN

ウエハ接合技術を用いると新規な積層構造の実現が可能である。窒化物半導体は大きな分極電界を有するため、GaN同士のウエハ接合により高効率な波長変換デバイスの作製が可能となる。本研究室ではGaN/SiとGaN/sapphireの表面活性化接合およびSi基板除去を試み、これに成功した。しかしながら、接合プロセス中の歪変化による波長変換デバイスの効率低下が懸念されるため、本研究では表面活性化接合前後でのGaN薄膜中の歪変化を評価した。