[11a-W541-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11a-W541-12] ラマン散乱による表面活性化接合前後のGaN薄膜中の歪変化の評価

〇(B)田辺 凌¹、小野寺 卓也¹、上向井 正裕¹、彦坂 年輝²、布上 真也²、正直 花奈子³、三宅 秀人^3,4、久志本 真希⁵、鄭 惠貞⁶、本田 善央⁶、天野 浩⁶、片山 竜二¹ (1.阪大院工、2.(株)東芝、3.三重大院工、4.三重大院地域イノベ、5.名大院工、6.名大未来研)

キーワード：表面活性化接合、GaN

ウエハ接合技術を用いると新規な積層構造の実現が可能である。窒化物半導体は大きな分極電界を有するため、GaN同士のウエハ接合により高効率な波長変換デバイスの作製が可能となる。本研究室ではGaN/SiとGaN/sapphireの表面活性化接合およびSi基板除去を試み、これに成功した。しかしながら、接合プロセス中の歪変化による波長変換デバイスの効率低下が懸念されるため、本研究では表面活性化接合前後でのGaN薄膜中の歪変化を評価した。