2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[11a-W541-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

2019年3月11日(月) 09:00 〜 12:15 W541 (W541)

石井 良太(京大)、舘林 潤(阪大)

09:30 〜 09:45

[11a-W541-3] マクロステップを持つc面AlN/サファイアテンプレート上に成長させたAlGaN量子井戸の構造解析(2)

長澤 陽祐1、小島 一信2、平野 光1、一本松 正道1、本田 善央3、天野 浩3、赤﨑 勇4、秩父 重英2 (1.創光科学、2.東北大-IMRAM、3.名大工-IMaSS、4.名城大理工)

キーワード:AlGaN、AlGaN 量子井戸

マクロステップを有する発光波長285 nmのAlGaN量子井戸について,波長260 nm サンプルと発光特性を比較した.カソードルミネッセンスの発光強度分布では,マクロステップの段差近傍で強度の高い領域が共通で観察された.テラス上で強度の高い領域が285 nmサンプルでのみ観測された.同じテンプレート上に成長したLEDで260 nmより285 nmの方が高い内部量子効率を示す傾向は、段差近傍だけでなくテラスでも発光に寄与するとして説明できる。