[11a-W541-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11a-W541-8] 自己吸収過程を考慮した発光量子効率の解析式

〇浅井 栄大¹、小島 一信²、秩父 重英²、福田 浩一¹ (1.産総研、2.東北大多元研)

キーワード：ワイドギャップ半導体、発光量子効率、検量線

本研究では半導体自立結晶の外部量子効率(EQE)の理論式を導出し、非発光再結合中心濃度とEQEの関係を明らかにする。内部量子効率(IQE)と異なり、EQEは結晶内部における自己吸収過程に大きく影響を受ける。