[11a-W631-1~10] 3.11 フォトニック構造・現象

[11a-W631-6] Si系トポロジカルフォトニクス伝送路における導波モード解析

〇(M1)各務 響¹、雨宮 智宏^1,2、齋藤 孝一¹、田中 真琴¹、増田 佳祐¹、西山 伸彦^1,2、胡 暁³、荒井 滋久^1,2 (1.東工大工、2.東工大未来研、3.物材機構)

キーワード：トポロジカルフォトニクス、シリコンフォトニクス

トポロジカル絶縁体やワイル半金属などにおける電子系のトポロジーをフォトンの系にトレースする試みは、トポロジカルフォトニクスと呼ばれ、近年急速に進展している。特に、C₆対称性を有する誘電体が蜂の巣格子状に配列された構造におけるZ₂トポロジーの発現は、特殊な光伝搬が可能なトポロジカルエッジ状態を実現できることから様々な応用が期待されている。そのような中、我々は従来型の光回路にトポロジカルフォトニクス系を導入することを目指している。
今回、トポロジカルフォトニクス系において最も基本となる構成要素であるSi系トポロジカルエッジ伝送路の断面を含む導波モードを時間領域差分法（FDTD法）により解析したので、ご報告する。