The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

Presentation information

Oral presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.3 Oxide electronics

[11a-W641-1~10] 6.3 Oxide electronics

Mon. Mar 11, 2019 9:00 AM - 11:45 AM W641 (W641)

Hisashi Shima(AIST), Mitsunori Kitta(AIST)

11:00 AM - 11:15 AM

[11a-W641-8] Reducing the interface resistance at Li3PO4/LiCoO2 interfaces by annealing

Shigeru Kobayashi1, Ryota Shimizu1,2, Yuki Watanabe1, Kazunori Nishio1, Taro Hitosugi1 (1.Tokyo Tech, 2.JST-PRESTO)

Keywords:All Solid state Li battery

全固体電池の実用化に向けて、正極/固体電解質界面の電荷移動抵抗の低減が課題となっている。我々は、全真空プロセスにより極めて低抵抗なLi3PO4/LiCoO2 界面の形成(8.6 Ωcm2)に成功した。さらに、LiCoO2 清浄表面に対し様々なガスを曝露することで、H2O が界面抵抗上昇を起こすことを明らかにした。本研究では、この界面抵抗上昇の回復プロセスの開発を目指し、アニール処理の効果を調べた。