[11p-70A-1~17] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[11p-70A-10] 4H-SiC埋め込みN/Vコドープによる短ライフタイム層の観測

〇長屋 圭祐¹、平山 貴史¹、俵 武志^2,3、村田 晃一⁴、土田 秀一⁴、加藤 正史¹ (1.名工大、2.産総研、3.富士電機、4.電中研)

キーワード：ライフタイム、SiC

4H-SiCバイポーラデバイスにおいて、ドリフト層中の所望の深さのライフタイム制御は重要である。N/Vコドープしたエピ層は、Nのみドープしたエピ層と比較して、はるかに短いライフタイムを示した。本研究は高い空間分解能での測定が可能なFCA法を用い、ドリフト層中の埋め込み型N/Vコドープによる局所的な短ライフタイム層を観測した。