[11p-70A-1~17] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[11p-70A-11] 4H-SiCエピ層中に存在する部分転位の詳細PL解析

〇西尾 譲司¹、岡田 葵¹、太田 千春¹、櫛部 光弘¹ (1.（株）東芝)

キーワード：炭化珪素、フォトルミネッセンス、部分転位

4H-SiCエピ層中に存在する基底面転位を構成している個々のショックレー部分転位をフォトルミネッセンスによって解析した。その結果、曲線形状を持つCコア部分転位は一本の転位線の中で場所によって発光波長が変化することを見出した。本結果の詳細とその機構対する一考察を報告する。