3:30 PM - 3:45 PM
[11p-70A-10] Observation of a short lifetime layer by buried N/V co-doping in 4H-SiC
Keywords:lifetime, SiC
4H-SiCバイポーラデバイスにおいて、ドリフト層中の所望の深さのライフタイム制御は重要である。N/Vコドープしたエピ層は、Nのみドープしたエピ層と比較して、はるかに短いライフタイムを示した。本研究は高い空間分解能での測定が可能なFCA法を用い、ドリフト層中の埋め込み型N/Vコドープによる局所的な短ライフタイム層を観測した。