[11p-70A-1~17] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[11p-70A-16] 4H-SiC MOSFETチャネルの単一光子源のゲート電圧制御（II）

〇(D)阿部 裕太^1,2、梅田 享英¹、岡本 光央³、原田 信介³、佐藤 真一郎²、山﨑 雄一²、大島 武² (1.筑波大数物、2.量研、3.産総研)

キーワード：MOS界面、単一光子源、欠陥

一度の発光イベントでフォトンを1個放出する点欠陥を単一光子源（SPS）として、量子暗号通信や量子センシングへの応用を目指した研究が行われている。SiCにおいてもSi空孔を筆頭に様々なSPSが存在し、我々も4H-SiC MOSFETのチャネル領域（SiC/SiO₂界面）に高輝度発光する室温SPSを発見した。このSPSはゲート電圧に対して発光強度が変化し、ゲート電圧によって発光強度が増加および減少する2種類のSPSを発見したので、これらの違いについて調べた。