[11p-M103-1~10] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[11p-M103-2] PbS量子ドットの多層シェル化と発光強度の改善

〇(B)池田 航介¹、渡辺 彗²、藤島 将伸³、向井 剛輝^1,2,3 (1.横浜国大理工、2.横浜国大院工、3.横浜国大院理工)

キーワード：量子ドット、多層シェル

電子や光子を用いた量子情報処理技術のデバイスとして、用いられる有望な材料の一つが量子ドットである。ナノホールとQDのシリカコーティングによってQDの位置制御を可能にする技術が実現されている。本研究では、見かけ上のQDサイズ制御と発光特性の改善の両立を目指し、PbS QDのシェル材料としてPbSeを用いることによって三層構造のQDを作製した。この構造によって、単体でのシリカコートQDより発光特性が改善したことを報告する。