[11p-M103-1~10] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[11p-M103-4] GaAs/Al_0.3Ga_0.7As量子井戸における低温でのスピン緩和時間の井戸幅依存性

〇松田 侑己¹、中村 雄一¹、孫 啓明¹、田代 大吾¹、山内 敬仁¹、下村 哲²、竹内 淳¹ (1.早大先進理工、2.愛媛大理工)

キーワード：スピン緩和、GaAs/AlGaAs 量子井戸、ポンプ・プローブ反射計測

本研究では、井戸幅の異なるGaAs/AlGaAs量子井戸のスピン緩和時間を時間分解ポンプ・プローブ反射計測によって測定し、低温におけるスピン緩和時間の井戸幅依存性を調べた。その結果、井戸幅1.8 nmから2.6 nmの間でスピン緩和時間の負の井戸幅依存性が観測された。これは低温でのスピン緩和機構であるEY効果から期待される井戸幅依存性とは異なるため、低温域におけるスピン緩和機構の解明に貢献し得ると考えられる。