[11p-M113-1~20] 6.2 Carbon-based thin films

[11p-M113-1] [The 3rd Thin Film and Surface Physics Division Award Speech] Demonstration of Inversion Channel Diamond MOSFET

〇Tsubasa Matsumoto¹, Hiromitsu Kato², Kazuhiro Oyama³, Toshiharu Makino², Masahiko Ogura², Daisuke Takeuchi², Takao Inokuma¹, Satoshi Yamasaki^1,2, Norio Tokuda^1,2 (1.Kanazawa Univ., 2.AIST, 3.DENSO CORP.)

Keywords:MOS, diamond, MOSFET

次世代の半導体デバイス、特に省エネルギー化を実現するパワーデバイス材料として期待されているダイヤモンドを用いて、ノーマリオフ動作を有する反転層チャネルMOSFETを世界で初めて実証した。最近では、窒素ドープダイヤモンド薄膜を用いた反転層チャネル動作にも成功した。本講演では、以上の成果について詳しく紹介する。