講演情報

Tweet

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜

[11p-M113-1~20] 6.2 カーボン系薄膜

2019年3月11日(月) 13:15 〜 19:00 M113 (H113)

小山和博(デンソー)、小野田忍(量研機構)、藤井知(沖縄高専)

15:00 〜 15:15

▲ [11p-M113-7] Development of hydrogenated diamond triple-gate fin-type MOSFETs

〇Jiangwei LIU¹、Hirotaka Ohsato¹、Bo Da¹、Yasuo Koide¹ (1.NIMS)

キーワード：diamond