[11p-M136-1~14] 13.3 絶縁膜技術

[11p-M136-1] 局在キャリアのデトラップの温度依存性に関する考察

〇宝玉 充¹、泉田 貴士¹、谷本 弘吉¹、青木 伸俊¹、尾上 誠司¹ (1.東芝メモリ)

キーワード：デトラップ、小さいポーラロン、トラップ補助型トンネリング

不揮発性メモリの電荷蓄積層に用いられるSiNなどの膜中トラップに関して、キャリアの捕獲ないし放出のレートを測定・計算・考察する報告を見るに、研究者間の考え方に大きな隔たりを感じることが多い。本報告では、議論しやすそうなデトラップに着眼し、①熱励起のみでモデル化する手法と、②それにPoole-Frenkel効果を組み込んだ手法と、③熱励起（正確にはフォノン遷移）とトンネル効果の両方を考慮する手法を、比較考察する。そして、①や②の物理モデルに比べて、③が如何に妥当な物理モデルであるかを論じる。