[11p-M136-1~14] 13.3 絶縁膜技術

[11p-M136-4] Siピラー酸化におけるSiミッシングに関する理論検討II

〇影島 博之^1,4、白石 賢二^2,4、遠藤 哲郎^3,4 (1.島根大、2.名古屋大、3.東北大、4.JST ACCEL)

キーワード：シリコン酸化、ナノピラー、理論

Siピラーを熱酸化した際に発生するSiミッシング現象がどうして発生しているのかについて、前回の学会で4つの機構候補のうちから酸化膜粘性流動機構が有望であることを報告したが、今回は残りの3つの候補がなぜ考えにくいのかを中心に報告する。