[11p-PA4-1~13] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[11p-PA4-2] Effect of Gate-Channel Distance Parameters on Electrical Properties of GaInSb Channel HEMT Structure

〇Naoyuki Kishimoto¹, Yuki Endoh¹, Takuya Hayashi¹, Mizuho Hiraoka¹, Ryuto Machida¹, Akira Endoh¹, Hiroki I. Fujishiro¹ (1.TUS)

Keywords:HEMT, MBE, III-V semiconductors

HEMTの高速化は、小さな電子有効質量を有するInSbをチャネル層としたHEMT構造が有望であるが、伝導帯不連続（ΔE_c）は 0.27 eV程度と小さい。一方、GaInSb をチャネル層としたHEMT構造は、ΔE_c を 0.48 eV程に大きくすることが可能である。加えて、HEMTの高速化にはゲート長の微細化と合わせてゲート・チャネル間距離を短縮するスケーリングが必要であり、本研究ではチャネル層膜厚及びスペーサ層膜厚を変化させて電気的特性を評価した。