[11p-PA4-1~13] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[11p-PA4-7] Bi segregated structure in GaAs/GaAsBi/GaAs core-multishell nanowires

〇Teruyoshi Matsuda¹, Kosuke Yano¹, Kyohei Takada¹, Satoshi Shimomura¹, Yumiko Shimizu², Fumitaro Ishikawa¹ (1.Ehime Univ., 2.Toray Research Center)

Keywords:nanowire, MBE, semiconductor

III–V 族化合物半導体GaAsを用いたナノワイヤは，単一のナノワイヤがLEDやレーザとして動作するナノスケールの光源として利用できる．一方同材料を用いた赤外域の半導体レーザは材料起源の本質的な発熱の問題を抱えている．この問題に対し，ビスマス元素を導入することでこれを抑制することが期待されている．今回、走査型透過電子顕微鏡(STEM)観察からGa/GaAsBi/GaAsコア-シェルナノワイヤの構造特性および結成長機構及についてより詳細に検討した。