[11p-PA4-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[11p-PA4-7] Si(111) 基板上GaAs/GaAsBiヘテロ構造ナノワイヤにおけるBi偏析構造Si(111) 基板上GaAs/GaAsBiヘテロ構造ナノワイヤにおけるBi偏析構造

〇松田 晃賢¹、矢野 康介¹、高田 恭兵¹、下村 哲¹、清水 夕美子²、石川 史太郎¹ (1.愛媛大工、2.東レリサーチ)

キーワード：ナノワイヤ、MBE、半導体

III–V 族化合物半導体GaAsを用いたナノワイヤは，単一のナノワイヤがLEDやレーザとして動作するナノスケールの光源として利用できる．一方同材料を用いた赤外域の半導体レーザは材料起源の本質的な発熱の問題を抱えている．この問題に対し，ビスマス元素を導入することでこれを抑制することが期待されている．今回、走査型透過電子顕微鏡(STEM)観察からGa/GaAsBi/GaAsコア-シェルナノワイヤの構造特性および結成長機構及についてより詳細に検討した。