[11p-PA6-1~7] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

△ [11p-PA6-2] Influence of Carbon and Oxygen Impurities on the Bulk Lifetime-Control Defects in Silicon Crystals for Power Device Application

〇(M1)Daiki Tsuchiya¹, Koji Sueoka¹, Hidekazu Yamamoto² (1.OPU, 2.Chiba Tech.)

Keywords:vacancy-vacancy pair (V-V), interstitial carbon-interstitial oxygen pair (Ci-Oi), interstitial carbon-substitutional carbon (Ci-Cs)

本研究では，V-V，V-PとC_i，O_i，C_i-O_i，C_i-C_s の相互作用による構造変化の過程に注目した第一原理計算を行った．Si 64原子モデルの各原子配置における不純物間の結合エネルギーを計算することで，安定な複合体構造を探索することを目的とした．