[11p-PA6-1~7] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[11p-PA6-3] Development of Estimation Method for Defects Density in Crystalline Si wafer by Kikuchi-pattern Analysis

〇Hiroaki Hanafusa¹, Takashi Oki¹, Seiichiro Higashi¹ (1.Hiroshima Univ.)

Keywords:Kikuchi-pattern, Defects density

走査型電子顕微鏡と電子線後方散乱回折法を組み合わせたSEM-EBSD法は高い空間分解能を有しつつ菊池線パターンの解析により広範囲の面内結晶性分布の情報が得られる。解析に用いられる菊池線はブラッグ条件に従うことから菊池線パターンを解析することで半導体結晶内に含まれる欠陥密度を推定することが可能ではないかと考え、理論モデルの構築および、実際にイオン注入により欠陥を導入したサンプルと比較を行い、提案法の検証を行った。