[11p-PA6-1~7] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[11p-PA6-3] 菊池線パターン解析によるSi結晶内の欠陥量評価法の開発

〇花房 宏明¹、沖 昴志¹、東 清一郎¹ (1.広大先端研)

キーワード：菊池線パターン、欠陥密度

走査型電子顕微鏡と電子線後方散乱回折法を組み合わせたSEM-EBSD法は高い空間分解能を有しつつ菊池線パターンの解析により広範囲の面内結晶性分布の情報が得られる。解析に用いられる菊池線はブラッグ条件に従うことから菊池線パターンを解析することで半導体結晶内に含まれる欠陥密度を推定することが可能ではないかと考え、理論モデルの構築および、実際にイオン注入により欠陥を導入したサンプルと比較を行い、提案法の検証を行った。