[11p-PA6-1~7] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[11p-PA6-4] Control Method of Lattice Defect Formed by Ion Irradiation Using Mask

〇Yuki Nakata¹, Takahide Yagi¹, Masatsugu Sogabe¹ (1.SHI-ATEX Co.,Ltd.)

Keywords:semiconductor, ion irradiation, lattice defect

イオン照射の工業利用の一つに半導体の特性向上がある。これは、半導体ウエハに局所的に格子欠陥を形成することで、素子のライフタイム制御を行うものである。我々は、デバイスの高性能化につながるような、より自由な格子欠陥形成方法を提案するために、マスクを利用した二つの方法を検討した。本研究ではマスクの作製とこれらを使用したイオン照射を行い、本技術の実現の可能性について検討を行った。