[11p-PB3-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11p-PB3-10] 様々なp型GaNゲート構造をドライエッチングで形成したAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの特性

〇近藤 孝明¹、赤澤 良彦¹、岩田 直高¹ (1.豊田工大)

キーワード：GaN、高電子移動度トランジスタ、ドライエッチング

前回，p型GaNゲート形成の選択ドライエッチングがAlGaN/GaN HEMTの特性へ与える影響を報告した。今回は，様々なp型GaNゲート構造のHEMTを作製し、構造と特性の関係を調べた。検討した素子は，p型GaNをエッチングした素子，AlGaNまでエッチングした素子，p型GaNを残した素子である．電子移動度は、p型GaNをエッチングした素子で1600 cm²/V･s，AlGaNまでエッチングした素子で1100 cm²/V･sであった．フォトルミネッセンス観察での差異は認められなかった．