[11p-PB3-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [11p-PB3-13] 縦型AlGaN/GaNトレンチMOS-HEMTのDC特性: p-GaN層Mg添加量の効果

〇(M2)金谷 彗杜¹、米田 直史¹、山本 暠勇¹、葛原 正明¹ (1.福井大院工)

キーワード：半導体、GaN、HEMT

実効移動度が小さくヒステリシスが大きいなどの問題を有するGaN系縦型MIS-FETに代わるデバイスとしてAlGaN/GaN縦型HEMTの作製を検討した。RIE-GaN表面にAlGaNを再成長することにより作製したAlGaN/GaN構造の評価に基づき、デバイスの作製条件の最適化を図った。その結果、1 A/mm程度のドレイン電流を有するノーマリオフ動作のデバイスを実現することができた。