[11p-PB3-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11p-PB3-16] 容量測定を用いたp-GaNエピへの低濃度Mg注入と共注入影響の評価

〇高島 信也¹、上野 勝典¹、田中 亮¹、松山 秀昭¹、江戸 雅晴¹、嶋 紘平²、小島 一信²、秩父 重英^2,3、上殿 明良⁴ (1.富士電機、2.東北大、3.名大IMass、4.筑波大)

キーワード：窒化ガリウム、イオン注入

GaNへのMgイオン注入によるp型形成では欠陥低減が課題であり、最近HやNの共注入が有効と報告されている。本発表では共注入影響評価として、p型エピへ低濃度のMgとH, Nの共注入を行い、p型ショットキー構造で容量評価を行った。欠陥影響を比較すると、H共注入では容量が低下しつつヒステリシスが増加したが、N共注入では容量が増加しかつヒステリシス幅も低減しており、トラップ低減に寄与したと期待される。