[11p-PB3-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11p-PB3-18] ベベルメサ構造GaN p-n接合ダイオードの電界分布シミュレーション

〇前田 拓也¹、成田 哲生²、上田 博之²、兼近 将一²、上杉 勉²、加地 徹³、木本 恒暢¹、堀田 昌宏^1,3,4、須田 淳^1,3,4 (1.京大院工、2.豊田中研、3.名大 未来材料・システム研究所、4.名大院工)

キーワード：窒化ガリウム(GaN)、端部終端構造、絶縁破壊

パワーデバイスの高耐圧化には，素子端部における電界集中を緩和する終端構造が必要である．本研究では，端部終端構造としてベベルメサ構造を検討し，TCADシミュレーションを用いて電界集中緩和の効果を調べた．上部p層のアクセプタ密度を低く，メサ角度を小さくすることで，電界集中を十分に緩和できることが分かった．ベベルメサ構造は，比較的低耐圧(～1.2 kV)な素子，あるいは，絶縁破壊の基礎研究のための終端構造として有用である．