[11p-PB3-1~27] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[11p-PB3-21] Estimation of parasitic circuit elements by measuring radiated emission from GaN switching circuit

〇Toshihide Ide^1,2, Mikio Oomori², Mitsuaki Shimizu¹, Noriyuki Takada² (1.NU-AIST GaN-OIL, 2.AIST ESPRIT)

Keywords:GaN, Switching, parasitic circuit element

GaNデバイスを用いてスイッチング回路の周波数を向上させると受動部品の小型化などのメリットを享受できる反面、配線の寄生インダクタンス成分によるノイズ等が回路誤動作を引き起こすため無視できなくなる。これまで我々はGaNスイッチング回路の放射電磁界からノイズ等の原因となる寄生素子を抽出する方法について報告してきた。本研究では、前回よりも回路電圧の高い200V級GaNスイッチング回路において放射電磁界からの寄生インダクタンスについて調べたので報告する。