[11p-PB3-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11p-PB3-22] 3C-SiC/Si基板上に作製したAlGaN/GaN/GaN:Cヘテロ構造のターンオン容量回復特性

〇中野 由崇¹、北原 功一²、大内 澄人²、生川 満久²、川村 啓介² (1.中部大、2.エア・ウォーター)

キーワード：AlGaN/GaNヘテロ構造、3C-SiC/Si基板、ターンオン容量回復特性

メルトバックエッチング耐性及びGaNとの格子整合性に優れた3C-SiC層をヘテロエピタキシャル成長させたSi基板上に形成したAlGaN/uid-GaN/GaN:Cヘテロ構造のオフストレス電圧印加後のターンオン容量回復特性評価を行い、バルク起因の電流コラプス現象に対する3C-SiC層の効果を検討した。3C-SiC層がある場合、容量回復特性が早くなること及びその熱的安定性が優れていることを確認した。